Primo HD-RIE?是糖果派对网站于2015年推出的新一代电介质刻蚀产品，是在Primo SSC AD-RIETM设计基础上实现的拥有六个单反映台腔体的系统，定位于为中深邃宽比刻蚀提供综合解决规划。该设备拥有以下新个性：更高的同步脉冲射频功率、高功率高温静电托盘、气体脉冲、多区气体调节、可冷却聚焦环工艺组件和更不变的上电极温度节造等。Primo HD-RIE在3D-NAND及DRAM中深邃宽比沟槽及深孔刻蚀上阐发优异，在一些关键造程上已实现量产。
为NAND和DRAM芯片造作提供创新的刻蚀解决规划
拥有独立气体输运系统的单反映台腔体设计
多区气体调节以及双区ESC温度节造
高功率以及高温静电吸盘
气体脉冲
双级同步脉冲射频系统，甚高功率的低频射频脉冲以提供高离子轰击能量
不变的上电极温度节造系统
可冷却聚焦环以预防硅片边缘刻蚀终场
高高低电极面积比，以利用于中深邃宽比刻蚀
高电介质资料刻蚀速度，多伎俩刻蚀均匀度调节
高粒子轰击能量，以扩大深邃宽比刻蚀工艺窗口
气体脉冲系统，提供更矫捷的工艺节造规划
应对特殊工艺的高温高功率静电吸盘选项
